ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立

材料导报, 2015, 29(14): 152-155. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.14.033

ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立

刘佰清 ^1, , 洪根深 ^2, , 郑若成 ^3, , 刘国柱 ^4, , 敖一程 ^5, , 王印权 ^6,

1.中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035

2.中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035

3.中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035

4.中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035

5.中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035

6.中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035

关键词： ONO反熔丝 , TDDB , E Model , 激活能 , 寿命模型

Foundation of the TDDB Reliability Lifetime Model About the ONO Antifuse

Keywords： ONO antifuse , TDDB , E Model , temperature activation , lifetime model

基于1.0 μm ONO(SiO2-Si3 N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型.研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足“E Model”;并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合“E Model”模型中的各个参数,建立了寿命预测模型.同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性.

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Foundation of the TDDB Reliability Lifetime Model About the ONO Antifuse

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