OsSi2电子结构及介电性能的第一性原理研究

材料导报, 2016, 30(12): 149-152. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.12.032

OsSi2电子结构及介电性能的第一性原理研究

张华 ^1, , 余志强 ^2, , 张昌华 ^3, , 廖红华 ^4,

1.湖北民族学院信息工程学院,恩施,445000

2.湖北民族学院信息工程学院,恩施,445000

3.湖北民族学院信息工程学院,恩施,445000

4.湖北民族学院信息工程学院,恩施,445000

基金项目: 湖北省自然科学基金(2015CFC784)

关键词：第一性原理 , 外延生长 , 二硅化锇 , 电子结构 , 介电性能

First-principles Study of the Electronic Structure and Dielectric Properties of OsSi2

Keywords： first principles methods , epitaxial growth , OsSi2 , electronic structure , dielectric properties

采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi2的电子结构和介电性能.结果表明,在1.010 nm≤a≤1.030 nm范围内,OsSi2始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当品格常数a为1.020 nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi2具有0.625 eV的间接带隙能量值;OsSi2的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi2在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi2相比,OsSi2在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi2的介电峰减少且介电峰强度明显增强.

参考文献

[1]	Cottier RJ;Amir FZ;Zhao W;Hossain K;Gorman BP;Golding TD;Anibou N;Donner W.Molecular beam epitaxial growth of osmium silicides[J].Journal of Vacuum Science & Technology, B. Microelectronics and Nanometer Structures: Processing, Measurement and Phenomena,20063(3):1488-1491.
[2]	Tani, J.-I.;Takahashi, M.;Kido, H..First-principles calculations of the structural and elastic properties of OsSi_2 at high pressure[J].Computational Materials Science,20117(7):2009-2013.
[3]	李旭珍;谢泉;陈茜;赵凤娟;崔冬萌.OsSi_2电子结构和光学性质的研究[J].物理学报,2010(3):2016-2021.
[4]	Shingo Kishino;Tomohiro Imai;Tsutomu Iida.Electronic and optical properties of bulk crystals of semiconducting orthorhombic BaSi_2 prepared by the vertical Bridgman method[J].Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics,20071/2(1/2):22-27.

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