反应磁控溅射制备SnO2薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究

材料导报, 2016, 30(18): 1-5. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.18.001

反应磁控溅射制备SnO2薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究

姚宏燚 ^1, , 袁志钟 ^2, , 熊志高 ^3, , 翟艺璇 ^4, , 李东升 ^5,

1.江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

2.江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

3.江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

4.江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

5.浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州310027

基金项目: 国家重点实验室开放基金(SKL2010-10)

关键词： SnO2薄膜 , 反应磁控溅射 , 光致发光 , 光学禁带

Microstructure and Photoluminescence of SnO2 Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering

Keywords： SnO2 thin film , reactive magnetron sputtering , photoluminescence , optical band gap

利用反应磁控溅射法(RMS)制备了SnO2薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响.结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下(室温至600℃)溅射薄膜时,较高的衬底温度可得到较大的SnO2晶粒,表面更为粗糙;此外,将原生SnO2薄膜在O2气氛下退火可以改善其结晶度,原本的柱状结构转变成致密的薄膜结构,其光学禁带宽度变宽至3.85 eV;经过退火的SnO2薄膜的光致发光(PL)强度显著增强,位于约610 nm的PL发光峰主要是源于SnO2纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态.

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反应磁控溅射制备SnO2薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究

Microstructure and Photoluminescence of SnO2 Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering

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