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采用多尺度准连续介质法(简称QC方法)模拟双晶Al薄膜纳米压痕过程,研究上层膜厚度及晶界两侧晶体取向对薄膜材料屈服点的影响规律.在模型总尺寸不变的前提下,变化上层膜厚度,得到了双晶材料屈服点随上层膜厚度变化的关系曲线,通过载荷-位移曲线及其上各个特征点所对应Von Mises应变图.分析得到载荷陡降的原因是位错的形核或层错的扩展,晶界处的品格畸变致使晶界处更易发生应变的集中,当上层膜厚度较薄时,位错易于在晶界处形核,致使其屈服点较低.

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