基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究

稀有金属, 2016, 40(3): 236-242. doi: 10.13373/j.cnki.cjrm.2016.03.007

基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究

何品 ^1, , 叶葱 ^2, , 邓腾飞 ^3, , 吴加吉 ^4, , 张骏驰 ^5, , 王浩 ^6,

1.湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉,430062

2.湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉,430062

3.湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉,430062

4.湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉,430062

5.湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉,430062

6.湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉,430062

基金项目: 国家自然科学基金项目(61474039) 湖北省自然科学基金杰出青年基金项目(2015 CFA052)资助

关键词：阻变存储器 , 自限流特性 , 操作电流 , ITO电极

Resistive Switching Characteristics of HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Using ITO Electrode

Keywords： resistive random access memory(RRAM) , self-compliance current phenomenon , switching current , indium tin oxide (ITO) electrode

采用磁控溅射和光刻技术制备了1 pm×1 μm的TiN/HfO2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能.研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性.同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别.结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层.进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应.而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16 μW.

参考文献

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网