悬浮区域熔炼法制备Ce1-xPrxB6单晶体及其热发射性能研究

无机材料学报, 2014, 29(10): 1073-1076. doi: 10.15541/jim20140027

悬浮区域熔炼法制备Ce1-xPrxB6单晶体及其热发射性能研究

张繁星 ^1, , 张忻 ^2, , 张久兴 ^3, , 梁超龙 ^4, , 黄颖凯 ^5,

1.北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124

2.北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124

3.北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124

4.北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124

5.阿姆斯特丹大学范德瓦尔斯-塞曼研究所,阿姆斯特丹1098XH

基金项目: 北京市自然科学基金(2112007) 国家自然科学基金(50871002) Natural Science Foundation of Beijing(2112007) National Natural Science Foundation of China(50871002)

关键词： Ce1-xPrxB6单晶体 , 悬浮区域熔炼法 , 热电子发射性能

Synthesis and Properties of Single Crystal Ce1-xPrxB6 by Floating Zone Melting

Keywords： Ce1-xPrxB6 single crystal , floating zone melting , thermionic emission property

以CeB6和PrB6粉末为原料,采用放电等离子烧结结合悬浮区域熔炼法成功制备了晶体质量良好的多元稀土六硼化物Ce1-xPrxB6(x=0.1、0.2、0.4)单晶体,并系统研究了该系列单晶体(100)晶面热电子发射性能.结果表明:Ce0.8Pr0.2B6单晶(100)晶面具有最好的热发射性能,在1873 K,最大电流发射密度达到66.07 A/cm2,比CeB6单晶的电流发射密度提高约20％.此外,Ce0.9Pr0.1B6、Ce0.6Pr0.4B6单晶(100)晶面的热发射电流密度分别为65.81 A/cm2和65.31 A/cm2.Ce0.8Pr0.2B6单晶(100)晶面的逸出功最低,为2.61 eV,其它单晶(100)晶面的逸出功在2.64～2.753 eV范围内.因此,Ce1-xPrxB6多元稀土六硼化物单晶具有良好的发射性能和低的逸出功,作为热阴极材料有很好的应用前景.

参考文献

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网