片式CaCu3Ti4O12陶瓷由于其巨介电效应,用于制备多层陶瓷片式电容具有重大意义.通过水基流延法并在不同的烧结温度下制备的片式CaCu3Ti4O12陶瓷具有优异的介电性能.其中在1080℃下烧结的样品在保持巨电容率(98605)的同时,降低了介电损耗,其值只有0.028,远低于其他报道的损耗值.同时,测试了CCTO陶瓷薄片的复阻抗图谱,讨论了CCTO陶瓷的特殊的电学性能.实验结果表明,通过流延成型制备的CCTO陶瓷薄片在保持巨电容率的同时具有很低的介电损耗,这为CCTO陶瓷在微电子工业上的应用提供了可能性.
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