压痕诱导单晶GaAs非晶相变

1.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015

2.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015

3.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015

4.中国科学究金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳,110015

5.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015;中国科学究金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳,110015

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G19990650) 国家自然科学基金(5997109)

AMORPHIZATION INDUCED BY INDENTATION IN SINGLE CRYSTAL GaAs

利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶Vickers压痕诱发的形变行为.结果表明,这种材料在Vickers硬度计载荷的作用下产生许多孪晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段.

[1]	Clarke D R, Kroll M C, Kirchner P D, Cook R F. Phys Rev Lett, 1988; 60:2156
[2]	Page T F, Oliver W C, McHargue C J. J Mater Res, 1992;7:450
[3]	Callahan D L, Morris J C. J Mater Res, 1992; 7:1614
[4]	Suzuki T, Ohmura T. Philos Mag, 1996; 74A: 1073
[5]	Lucazeau G, Abello L. J Mater Res, 1997; 12:2262
[6]	Wu Y Q, Xu Y B. J Mater Res, 1999; 14:682
[7]	Wu Y Q, Yang X Y, Xu Y B. Acta Mater, 1999; 8:48
[8]	Lefebvre A, Vanderschaeve G. Phys Status Solidi, 1988;107a: 647
[9]	Bourhis E L. Philos Mag Lett, 1999; 79:805
[10]	Lefebvre A, Androussi Y, Vanderschaeve G. Phys Status Solidi, 1987; 99a: 405
[11]	Hirsch P B, Pirouz P, Roberts S D, Warren P D. Philos Mag, 1985; 52B: 759
[12]	Hoche H R, Schreiber J. Phys Status Solidi, 1984; 86a:229

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分