高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响

1.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

2.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

3.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015

4.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015

5.中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳,110015

6.中国科学院金属研究所,沈阳,110015;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110015

基金项目: 国家自然科学基金(59931020)

THE EFFECT OF HIGH CURRENT DENSITY ELECTROPULSING ON PERSISTENT SLIP BANDS (PSBs) IN FATIGUED COPPER SINGLE CRYSTALS

对含驻留滑移带(PSB)的[123]取向的疲劳Cu单晶体,进行了高密度脉冲电流处理结果表明,高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了PSB-基体界面的应力集中状态,使驻留滑移带局部消失.理论计算同时表明,高密度脉冲电流处理能提高Cu单晶疲劳寿命.

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