蒸发淀积Al和Teflon AF薄膜间的相互作用

金属学报, 2001, 37(3): 243-246. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.005

蒸发淀积Al和Teflon AF薄膜间的相互作用

丁士进 ^1, , 王鹏飞 ^2, , 张卫 ^3, , 王季陶 ^4, , 张台文 ^5, , 夏钟福 ^6,

1.复旦大学电子工程系，上海，200433 同济大学Bohr固体物理研究所，上海，200092

2.复旦大学电子工程系，上海，200433

3.复旦大学电子工程系，上海，200433

4.复旦大学电子工程系，上海，200433

5.同济大学Bohr固体物理研究所，上海，200092

6.同济大学Bohr固体物理研究所，上海，200092

基金项目: 高等院校骨干教师基金国家自然科学基金(69776026)

关键词： Al,Teflon AF,相互作用,X-射线光电子光谱

INTERACTION BETWEEN ALUMINUM DEPOSITED BY EVAPORATION AND TEFLON AF FILM

通过X-射线光电子光谱(XPS),研究了蒸发淀积Al与Teflon AF薄膜间的相互作用.高分辨率Al2p,Ols,Cls和Fls XPS光谱分析表明在Al和Teflon AF界面处有AI的氟化物(AlxFy)以及C-O-Al有机化合物的形成.考虑到蒸发淀积Al前后,CF3基团降低和CF2基团增加,可以认为AlxFy中氟的来源主要是由于CF3基团中一个C-F键断裂而失去的氟原子,同时产生的CF2游离基和其它游离基间结合,导致界面处CF2基团增加.

参考文献

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[6]	Ding S J, Wang P F, zhang J Y, Zhang W, Wang J T,Zhang Y W, Xia Z F. Chin J Mat Res, accepted(丁士进,王鹏飞,张剑云,张卫,王季陶,张冶文,夏钟福.材料研究学报,待发表)
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