对疲劳后的[123]铜单晶体进行高电流密度脉冲处理可以形成多边形与椭圆形两种再结晶晶粒,晶粒尺寸分别为7.2-8.8μm和5.3-8.0μm.高电流密度脉冲处理造成的位错湮没会增大局部位错分布不均匀区域的位错密度梯度,从而形成再结晶的晶核.由于脉络结构分布均匀.在这一区域形成的再结晶晶粒没有明显的方向性而在驻留滑移带处形成的再结晶晶粒,由于位错的运动在平行于Burgers矢量的方向容易进行.因此形成的再结晶晶粒的尺寸沿这一方向要大一些在驻留滑移带处由脉冲电流处理引起的局部温升,增加了位错运动的可能性,导致再结晶晶粒之间间隔一定距离由于电脉冲作用时间很短.晶粒没有足够的时间长大.从而形成晶粒尺寸较小的再结晶晶粒.
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