插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响

金属学报, 2002, 38(6): 617-620. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.012

插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响

朱逢吾 ^1, , 于广华 ^2, , 李明华 ^3, , 姜宏伟 ^4, , 赖武彦 ^5,

1.北京科技大学材料物理系,北京,100083

2.北京科技大学材料物理系,北京,100083

3.北京科技大学材料物理系,北京,100083；中国科学院物理研究所,北京,100080

4.中国科学院物理研究所,北京,100080

5.中国科学院物理研究所,北京,100080

基金项目: 国家自然科学基金(19890310) 北京市自然科学基金(2012011)

关键词：层间偏聚 , 交换耦合场 , 表面活化原子Bi , XPS

EFFECT OF INSETTING Bi LAYERS ON THE EXCHANGE COUPLING OF SPIN-VALVE NiFe/Cu/NiFe/FeMn

对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.

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