磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

金属学报, 2002, 38(10): 1087-1090. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.10.016

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

吴厚政 ^1, , 刘宜华 ^2, , 代由勇 ^3, , 张林 ^4, , 萧淑琴 ^5,

1.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

2.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

3.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

4.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

5.山东大学物理与微电子学院,济南,250100

基金项目: 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金国家自然科学基金(59981004)

关键词：巨磁阻抗效应 , 非晶态软磁钴基合金薄带 , 趋肤效应

INFLUENCES OF MAGNETIC FIELD ANNEALING ON GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECTS OF CoFeNiNbSiB RIBBONS

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.

参考文献

[1]	Mohri K, Kohzawa T, Kawashima K, Yoshida H, PaninaL V. IEEE Trans Magn, 1992; 28:3150
[2]	Panina L V, Mohri K, Uchiyama T, Noda M, Bushida K. IEEE Trans Magn, 1995; 31:1249
[3]	Sommer R L, Chien C L. J Appl Phys, 1996; 79:5139
[4]	Chen C, Luan K Z, Liu Y H, Mei L M, Guo H Q, Shen B G, Zhao J G. Phys Rev B, 1996; 54:6092
[5]	Dai Y Y, Xiao S Q, Liu Y H, Zhang L, Wu H Z. Chin Phys Lett, 2001; 18:272
[6]	Liu Y H, Chen C, Zhang L, Yan S S, Mei L M. J Phys D: Appl Phys, 1996; 29:2943
[7]	Xiao S Q, Liu Y H, Yan S S, Dai Y Y, Zhang L, Mei LM. Phys Rev B, 2000; 61:5734
[8]	Mohri K, Panina L V, Uchiyama T, Bushida K, Noda M. IEEE Trans Magn, 1995; 31:1266
[9]	Inomata K, Hasegawa M, Shimanuki S. Jpn J Appl Phys, 1979; 18:937
[10]	Grossinger R, Turtelli R S. IEEE Trans Magn, 1994; 30:455

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

INFLUENCES OF MAGNETIC FIELD ANNEALING ON GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECTS OF CoFeNiNbSiB RIBBONS

参考文献