采用相场方法模拟纯物质三维枝晶生长.在不改变相场模型的条件下,提出界面捕获液态计算方法赋值计算单元界面标志,只对界面处的单元求解相场变量,当枝晶生长时,捕获液态单元为界面从而推进界面,并对捕获到的单元校正相场变量.论证了该方法的有效性和正确性.通过液态捕获方法加速相场模型的计算,使单晶粒三维枝晶生长模拟在个人微机上实现.计算枝晶生长形态及枝晶尖端生长速度.计算结果表明该方法可行.
参考文献
| [1] | Karma A, Rappel W-J. Phys Rev Lett, 1996; 77:4050 |
| [2] | Provatas N, Goldenfeld N, Dantzig J A. In: Thomas B G,Beckermann C eds., Modeling of Casting, Welding and Advanced Solidification Processes VIII, San Diego, California: Minerals, Metals & Materials Society, 1998:533 |
| [3] | Karma A, Rappel W-J. Phys Rev, 1998; 57E: 4323 |
| [4] | Collins J B, Levine H. Phys Rev, 1985; 31B: 6119 |
| [5] | Karma A, Rappel W-J. Phys Rev, 1999; 60E: 3614 |
| [6] | Tong X, Beckermann C, Karma A, Li Q. Phys Rev, 2001;63E: 061601 |
| [7] | Almgern R. J Comput Phys, 1993; 106:337 |
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