Cu/MgO界面位错的高分辨电子显微镜研究

金属学报, 2003, 39(3): 234-236. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.03.002

Cu/MgO界面位错的高分辨电子显微镜研究

刘红荣 ^1, , 蔡灿英 ^2, , 杨奇斌 ^3, , 王岩国 ^4,

1.湘潭大学现代物理研究所,湘潭,411105

2.湘潭大学现代物理研究所,湘潭,411105

3.湘潭大学现代物理研究所,湘潭,411105

4.中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室,北京,100080

基金项目: 国家自然科学基金(10074052,60271028)

关键词： Cu/MgO界面 , 近重位点阵 , 失配位错

STUDY OF INTERFACIAL DISLOCATION OF Cu/MgO BY HIGH-RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPE

用高分辨透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了取向关系相同的两种不同界面.并运用近重位点阵模型对其界面结构进行了研究,求出了失配位错的3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量,它们分别为:b3=1/4[011]MgO,b2=1/2[100]Cu,b3=1/4[011]MgO;b1＇=1/12[101]Cu(或1/99[755]MgO),b2＇=1/12[101]Cu(或1/99[755]MgO),b3＇=1/6[010]Cu(或1/10[011]MgO)失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好.

参考文献

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[2]	Bollman W. Crystal Defect and Crystalline Interface.Berlin: Spring, 1970
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[4]	Bonnet R, Durand F. Phils Mag, 1975; 32:997
[5]	Yang S H, Ding D H. Dislocation Theory of Crystal. Vol.2,Beijing: Science Press, 1998:176(杨顺华,丁棣华.晶体位错理论基础.第2卷,北京:科学出版社,1998:176)
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[8]	Wang Y G, de Hosson J Th M. J Mater Sci Lett, 2001;20:389
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[11]	Balluffi R W, Brokman A, King A H. Acta Metall, 1982;30:1453

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