脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能

金属学报, 2003, 39(5): 516-520. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.05.010

脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能

黄美东 ^1, , 孙超 ^2, , 林国强 ^3, , 董闯 ^4, , 闻立时 ^5,

1.中国科学院金属研究所,沈阳,110016;大连理工大学三束实验室,大连,116024

2.中国科学院金属研究所,沈阳,110016

3.大连理工大学三束实验室,大连,116024

4.大连理工大学三束实验室,大连,116024

5.中国科学院金属研究所,沈阳,110016

关键词：电弧离子镀 , 低温沉积 , 脉冲偏压 , TiN薄膜

MECHANICAL PROPERTY OF LOW TEMPERATURE DEPOSITED TiN FILM BY PULSED BIASED ARC ION PLATING

利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能.结果表明,与直流偏压相比,脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度,大大减少薄膜表面的大颗粒污染,改善表面形貌,而薄膜的综合力学性能仍保持良好,说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径.

参考文献

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