运用分子动力学和静力学方法对〈111〉生长铜膜中孪晶形成的原子过程与能量进行了模拟研究.所用的原子间相互作用势为Finnis-Sinclair型镶嵌原子法(EAM)势.模拟和计算分析结果表明,〈111〉生长铜膜表面沉积原子在不同局部可形成正常排列的fcc畴或错排的hcp畴;沉积原子处于hcp位置时体系的能量比fcc位置时要高,其增量决定了孪晶面出现几率沉积原子错排能还受相邻{111}孪晶面的影响,其间距小于3个原子层厚时,沉积原子错排能与不形成孪晶的Al晶体表面沉积原子错排能相当,此时形成孪晶面的几率极低;随间距的增加,表面沉积原子错排能迅速降低,在间距达到约12个原子层厚以后,降到略低于完整Cu晶体{111}表面的沉积原子错排能,这表明此时出现孪晶面的几率比在完整晶体表面形成一个新的孪晶面的几率要大.
参考文献
| [1] | Rosenberg R, Edelstein D C, Hu C K, Rodbell K P. Annu Rev Mater Sci, 2000: 30:229 |
| [2] | Zhou X W, Wadley H N G. Acta Mater, 1999: 47:1063 |
| [3] | Zhou L, Zhou N G, Li D G. In: Chinese Materials Research Society ed., Progress ir Materials Science and Engineering' 2002, Beijing: Metallurgical Industry Press, 2003:1830(周浪,周耐根,李殿国.见:中国材料学会主编,2002年材料科学与工程新进展,北京:冶金工业出版社,2003:1830) |
| [4] | Auckland G J, Tichy G, Vitek V, Finnis M W. Philos Mag, 1987: 56A: 735 |
| [5] | Peng B, Cai M, Li G, Wu X J, Zhou F. Nanostruct Mater,1994: 4:475 |
| [6] | Wen Y H, Zhou F X, Liu Y W. Chin Phys Lett, 2001: 18:411 |
| [7] | Zhou N G, Zhou L, Zhu S L. In: Chinese Materials Research Society ed., Progress in Materials Science and Engineering' 2002, Beijing: Metallurgical Industry Press,2003:1880(周耐根,周浪,朱圣龙.见:中国材料学会主编,2002年材料科学与工程新进展,北京:冶金工业出版社,2003:1880) |
| [8] | Wen Y H, Zhou F X, Liu R W, Zhou C E. J Mech, 2002:34:29(文玉华,周富信,刘日武,周承恩.力学学报,2002:34:29) |
| [9] | Ercolessi F, Adams J B. Europhys Lett, 1994: 26:583 |
| [10] | Zhou L, Zhou N G, Zhu S L. Acta Metall Sin, 2002: 38:795(周浪,周耐根,朱圣龙.金属学报,2002:38:795) |
| [11] | Zhou L, Zhu S L. Scr Mater, 2002: 47:677 |
| [12] | Toxvared S. Phys Rev, 1993: 47E: 343 |
| [13] | Feng D, et al. The Physics of Metals. Beijing: Science Press, 1998:333(冯端等著.金属物理学.北京:科学出版社,1998:333) |
| [14] | Fleming S D, Parkinson G M, Rohl A L. J Cryst Growth,1997: 178:402 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%