采用超高温度梯度真空区熔法定向凝固制备了Ni2MnGa晶体,改变晶体生长速度、温度梯度和熔区长度,获得了平直的固-液生长界面,制备出Ni2MnGa单晶.用光学显微镜观察了Ni50Mn29Ga21晶粒的竞争生长过程.制备的定向凝固试样无宏观成分偏析.X射线衍射分析仅显示四方结构马氏体Ni2MnGa 400峰和004峰,晶体生长轴向择优取向为立方奥氏体〈100〉方向.采用差式扫描量热分析(DSC)和热重法(TG)分别测定试样中不同部位的相转变温度和Curie温度.在稳定生长区,沿轴向马氏体相变温度在10℃左右变化,而Curie温度几乎没有变化.这进一步表明采用该方法制备的Ni2MnGa晶体沿轴向成分均匀,且马氏体相变温度一致.
参考文献
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