用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度.
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