正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应

金属学报, 2007, 43(3): 269-272. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.009

正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应

张兰芝 ^1, , 王宝义 ^2, , 王丹妮 ^3, , 魏龙 ^4, , 林均品 ^5, , 王文俊 ^6,

1.中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;中国科学院研究生院,北京,100049

2.中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049

3.中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;中国科学院研究生院,北京,100049

4.中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049

5.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

6.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金(10275076;10475096)

关键词：正电子湮没寿命 , 二维符合Doppler , TiAl合金

STUDY OF DOPING EFFECT OF Nb IN TiAl ALLOY BY POSITRON ANNIHILATION SPECTRUM

利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti51Al49合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加.

参考文献

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