在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XRD、IR、HREM和N2吸附等分析手段, 探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响. 结果表明: 掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键. 随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.
参考文献
[1] | Kresge C T, Leonowicz M E, Roth W J, et al. Nature, 1992, 359: 710-712 |
[2] | Beck J S, Vartuli J C, Roth W J, et al. J. Am. Chem., Soc., 1992, 114: 10834-10843 |
[3] | Luan Z H, Cheng C F, Zhou W Z, et al. J. Phys. Chem., 1995, 99: 1018-1024 |
[4] | Reddy K M, Mondrakovski I, Sayari A. J. Chem. Soc. Chem. Commun. 1994. 1059-1060 |
[5] | Felipediaz J, Kenneth J B, Fethibidioui V K, et al. Chem. Mater., 1997, 9: 61-67 |
[6] | Zhao D, Goldfarb D. J. Chem. Soc. Chem. Commun. 1995. 875-876 |
[7] | Corma A, Mavarro M T, Perez P J. J. Chem. Soc. Chem. Commun. 1994. 147-148 |
[8] | Maria D A, Luan Z H, Klinowski J. J. Phys. Chem., 1996, 100: 2178-2182 |
[9] | Tanev P T, Chibwe M, Pinnavaia T J. Nature, 1994, 368: 321-323 |
[10] | Sayari A. Chem. Mater., 1996, 8: 1840-1852 |
[11] | Richard A N, Ronald O K. Infrared Spectra of Inorganic Componuds (3800~45cm-1), Academic Press, Print in U.S.A., 1971. 210 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%