溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

无机材料学报, 1999, 14(1): 107-113. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.018

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

曾晟 ^1, , 丁爱丽 ^2, , 仇萍荪 ^3, , 何夕云 ^4, , 罗维根 ^5,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

关键词：射频磁控溅射 , 铁电薄膜 , 烧绿石相 , 钙钛矿相

Effect of Sputtering Parameters on Phase Transformation of PZT Thin Films

采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6uC/cm2,Ec=82.9kV/cm.

参考文献

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