采用MOD工艺制备了PZT薄膜, 利用XRD和TEM研究了焦绿石相向钙钛矿相的转变过程. 制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的PZT薄膜, 其XRD分析显示焦绿石相在600℃完全转变为钙钛矿相; 与之相比, Pt箔上无支持的PZT薄膜, 其TEM分析表明PZT焦绿石相完全转变为钙钛矿相的温度更高, 且与薄膜的厚度有关. XPS研究表明, 薄膜表面含有化学吸附氧和污染碳, 无其它杂质存在. 表面富含少量Pb, 其Zr/Ti比与化学计量比一致, 但晶格中缺氧.
参考文献
[1] | Scott J F, Araujo C A. Science,89,246:1400-1405 |
[2] | 罗维根, 丁爱丽(LUO Wei-Gen, et al). 无机材料学报(Journal of Inorganic Materials), 1996, 11 (1): 19-22 |
[3] | 包定华, 张良莹, 姚熹. 高技术通讯, 1997, 7 (4): 58-62 |
[4] | Xiao D Q, Xiao Z L, Zhu J M, et al. Appl. Phys. Lett., 1991, 58: 36-38 |
[5] | Sayer M. Proc. 6th IEEE ISAF, In: Smith W ed. 1986. 560-563 |
[6] | Bursill L A, Brooks K G. J. Appl. Phys., 1994, 75 (9): 4501-4509 |
[7] | Seraphin S, Zhou D, Teowee G, et al. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1993, 310: 369-374 |
[8] | Chang J F, Desu S B. J. Mater. Res., 1994, 9 (4): 955--969 |
[9] | Kaushik V, Maniar P, Campbell A. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1993, 310: 209-214 |
[10] | Krupanidhi S B, Hu H, Kumer V. J. Appl. Phys., 1992, 71: 376-388 |
[11] | Ibuki S, Nakayawa T, Okuyama M, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1990, 29: 532-535 |
[12] | Dana S S, Etzold K F, Clabes J. J. Appl. Phys., 1991, 69: 4398--4403 |
[13] | 包定华, 张良莹, 姚熹. 硅酸盐学报(已录用) |
[14] | 熊四辈. 西安交通大学博士学位论文, 1994 |
[15] | 刘世宏, 王当憨, 潘承璜. X射线光电子能谱分析. 科学出版社, 1988. 93-95 |
[16] | Hu H, Peng C J, Krupanidhi S B. Thin Solid Films, 1993, 223: 327-333 |
[17] | Griswold E M, Weaver L, Sayer M, et al. J. Mater. Res., 1995, 10 (12): 3149-3159 |
[18] | Dang E K F, Gooding R J. Phys. Rev. Lett., 1995, 74: 3848-3851 |
[19] | Lu C J, Ren S B, Shen H M, et al. J. Vac. Sci. Technol.(A), 1997, 15 (4): 2167-2172 |
[20] | Kaufherr N, Eichorst D J, Payne D A. J. Vac. Sci. Technol.(A), 1996, 14 (2): 299-305 |
[21] | Fujisaki Y, Torii T, Hiratani M, et al. Appl. Surf. Sci., 1997, 108: 365-369 |
[22] | Yamamura M, Kawahara T, Makita T, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1996, 35: 729-735 |
[23] | Mukhopadhyay S M, Chen T C S. J. Mater. Res., 1995, 10 (6): 1502-1507 |
[24] | Murata M, Wakino K, Ikeda K. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1975, 6: 459-464 |
[25] | Qian Z H, Xiao Z L, Zhu J G, et al. J. Appl. Phys., 1993, 74 (1): 224-227 |
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