交换耦合双层膜 NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

无机材料学报, 1999, 14(6): 933-938. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.016

交换耦合双层膜 NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

邱进军 ^1, , 李佐宜 ^2, , 郑远开 ^3, , 李震 ^4, , 林更琪 ^5, , 熊锐 ^6, , 胡作启 ^7, , 卢志红 ^8,

1.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

2.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

3.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

4.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

5.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

6.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

7.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074

8.中国科学院上海冶金所,上海,200050

基金项目: 教育部部门开放实验室基金

关键词：基片温度 , 交换耦合 , 矫顽力

Effect of Substrate Temperature on NiO/Ni81Fe19 Exchange Coupling Double-layered Films

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响. 用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力HC为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的HC(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好. 室温下淀积NiO(50 nm) /NiFe (15 nm) 双层膜的HC为4000A·m-1,交换耦合场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的矩形度很差;而260℃时淀积的双层膜的HC下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃. X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大.

参考文献

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