研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应,结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少. 首先合成MgNb2O6,但合成时并不加入过量MgO,合成温度为1050℃,由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷. 在X射线衍射检测极限内, 并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相. 对该陶瓷施加1kV/mm频率为0.07Hz的准静态电场, 在室温下其纵向电致应变(S11)达1.05×10-3而滞后仅为6.8%. 还研究了MgNb2O6的合成温度与PMN基陶瓷电致伸缩性能的关系,它表明PMN基陶瓷的居里温度Tc随MgNb2O6的合成温度的提高而增高,从而引起介电常数的下降和滞后增大.
参考文献
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