硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

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基金项目: 中国科学院资助项目(69776023)

Temperature Dependence of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates

采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在1000～1400C温度范围内的(100)Si衬底上进行了β-SiC薄膜的异质外延生长.实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β-SiC单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降.

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