ITO薄膜的光电子能谱分析

无机材料学报, 2000, 15(1): 188-192. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.034

ITO薄膜的光电子能谱分析

陈猛 ^1, , 裴志亮 ^2, , 白雪冬 ^3, , 黄荣芳 ^4, , 闻立时 ^5,

1.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

2.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

3.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

4.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

5.中国科学院金属研究所,沈阳,110015

基金项目: 辽宁省沈阳市科技攻关项目

关键词：化学状态 , 光电子能谱 , Gaussian拟合

X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of ITO Thin Films

运用XPS分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况.研究表明,低温直流磁控反应溅射ITO薄膜退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以两种化合状态O I和O II存在,其结合能值分别为529.90±0.30 eV和531.40±0.20 eV,分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比R O_I/O II从薄膜表面到体内逐渐增大.退火后薄膜表面的R O_I/O II小于未退火薄膜表面的R O_I/O II;经Ar+刻蚀20min后,退火薄膜体内的R O_I/O II大于未退火薄膜体内的R O_I/O II.这些结果表明,ITO薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层.

参考文献

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X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of ITO Thin Films

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