ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

无机材料学报, 2000, 15(6): 1127-1130. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.031

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

周咏东 ^1, , 方家熊 ^2, , 李言谨 ^3, , 龚海梅 ^4, , 汤定元 ^5,

1.苏州大学物理系，苏州215006

2.中国科学院上海技术物理研究所，上海200083

3.中国科学院上海技术物理研究所，上海200083

4.中国科学院上海技术物理研究所，上海200083

5.中国科学院上海技术物理研究所，上海200083

关键词： ZnS , 离子束溅射沉积 , XPS , HgCdTe , 表面抗反射膜

Sputtering Deposition and X-ray Photoelectron Spectroscopy Study for the ZnS Thin Film

Keywords： ZnS , ion beam sputtering deposition technique , XPS , HgCdTe , surface anti-reflection coat

用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了ZnS的低温沉积．用 X射线光电子能谱(XPS)对上述ZnS薄膜以及热蒸发ZnS薄膜中的Zn、S元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ZnS薄膜具有很好的组份均匀性，未探测到元素Zn、S的沉积．

The ZnS film was grown on HgCdTe surface by using the low-temperature ion beam sputtering technique. Zn and S elements in the sputtering ZnS film sample were studied and compared with those in the evaporating ZnS film by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)technique. It is proved that the constituent elements are homogeneous, and the deposition of element Zn, S cannot be detceted in the sputtering ZnS film.

参考文献

[1]	汤定元,童斐明.见：王守武主编：半导体器件研究与进展(二).北京：科学出版社,1991.
[2]	王善力,杨建荣,郭世平,等.红外与毫米波学报,1996,15(5)：333-337.
[3]	叶华伟."HgCdTe探测器中ZnS膜的抗反效应及其影响",硕士学位论文.中国科学院上海技物所,1997.
[4]	刘金生编著.离子束技术及应用.北京：国防工业出版社,1995.
[5]	胡晓宁,赵军,龚海梅,等.红外与毫米波学报,1998,17(5)：397-400.
[6]	"HANDBOOK OF X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY ", PERKIN-ELMER, Physical Electronics Division, December, 1978.
[7]	周咏东,"HgCdTe探测器芯片钝化介质的生长及其特性研究",博士学位论文.中国科学院上海技物所,1997.

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