离子注入对纳米Si3N4结构的影响

无机材料学报, 2001, 16(2): 369-372. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.029

离子注入对纳米Si3N4结构的影响

涂鲜花 ^1, , 李道火 ^2, , 赵华珍 ^3, , 詹明生 ^4,

1.中国科学院安徽光学精密机械研究所；中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与

2.中国科学院安徽光学精密机械研究所,

3.中国科学院安徽光学精密机械研究所,

4.中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与

关键词：量子限制效应 , 荧光不稳定 , 离子注入 , 纳米Si3N4

Effects of Ion Implantation on the Structure of Nano-Si3N4

通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性.根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图.

The effects of ion implantation on the structure of nano-Si3N4 was studied by means of FT-IR,XPS and photoluminescence spectra.The energy level scheme and the energy structure of nano-Si3N4 were given.The results show that ion implantation makes free Si in the material change to SiNn(n=1,2),and nano-Si3N4 possesses a quantum confinement effect,and its photo-luminescence peak position and intensity are unstable.

参考文献

[1]	左都罗,李道火.物理学报,1994,43: 424-431.
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