多晶硅薄膜的表面处理工艺

无机材料学报, 2001, 16(4): 693-696. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.020

多晶硅薄膜的表面处理工艺

曾祥斌 ^1, , 徐重阳 ^2, , 饶瑞 ^3, , JOHNNY K O Sin ^4,

1.华中科技大学电子科学与技术系,

2.华中科技大学电子科学与技术系,

3.华中科技大学电子科学与技术系,

4.香港科技大学电气与电子工程系

关键词： NH3 , N2O , 表面钝化 , p-Si TFT

Surface Plasma Passivation of the Polycrystalline Silicon Thin Films by Using NH3 or N2O Gas

采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.

参考文献

[1]	Clark M G. IEE Proc. Circuits Devices System, 1994, 141 (1): 3-8.
[2]	Chen S S, Hsieh I C. Solid State Technology, 1996, 1: 113-120.
[3]	Im J S, Sposili R S. MRS Bull., 1996, 21 (3): 39-44.
[4]	Tsai M J, Wang F S, Cheng K L, et al. Solid State Electron., 1995, 38 (6): 1233-1238.
[5]	Nickel N H, Mei P, Boyce J B. IEEE Trans. Electron Devices, 1995, 42 (8): 1559-1560.
[6]	Lee Kan Yuan, Fang Yean Kuen, Cheng Chii Wen, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1997, 36: 1025-1029.

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Surface Plasma Passivation of the Polycrystalline Silicon Thin Films by Using NH3 or N2O Gas

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