BaTiO3基PTCR陶瓷中B2O3蒸汽掺杂的异常行为

无机材料学报, 2001, 16(4): 739-741. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.029

BaTiO3基PTCR陶瓷中B2O3蒸汽掺杂的异常行为

齐建全 ^1, , 李龙土 ^2, , 朱青 ^3, , 王永力 ^4, , 桂治轮 ^5,

1.清华大学材料系,

2.清华大学材料系,

3.清华大学材料系,

4.清华大学材料系,

5.清华大学材料系,

关键词： B2O3 , BaTiO3 , PTCR

Abnormal Behavior of B2O3 Vapor Dopants in BaTiO3 Based PTCR Ceramics

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关.在高温下B2O3具有较高的蒸汽压,通过B2O3蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素B的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加.B2O3蒸汽掺杂BaTiO3基材料的PTCR效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成.

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Abnormal Behavior of B2O3 Vapor Dopants in BaTiO3 Based PTCR Ceramics

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