固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料

无机材料学报, 2001, 16(5): 974-978. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.033

固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料

李勃 ^1, , 岳振星 ^2, , 周济 ^3, , 桂治轮 ^4, , 李龙土 ^5,

1.清华大学材料系新型陶瓷与

2.清华大学材料系新型陶瓷与

3.清华大学材料系新型陶瓷与

4.清华大学材料系新型陶瓷与

5.清华大学材料系新型陶瓷与

关键词：低介电常数 , 低烧结温度 , 片式电感

Low Dielectric Constant B2O3-P2O5-SiO2 Ceramics Derived from Mixed-Solid Process

采用传统的电子陶瓷生产工艺,制备出一种B2O3-P2O5-SiO2系瓷料.该体系材料加入少量助烧剂可在900℃,空气气氛中烧结,获得低介电常数陶瓷.得到烧结体的介电常数ε≤5、介电损耗tanδ≤3×10-3(1MHz),有望用于超高频叠层片式电感领域.

参考文献

[1]	岳振星,周济(YUE Zhen-Xing,et al).无机材料学报(Journal ofInorganic Materials),1999,14(3):375-379.
[2]	Tummala R R. J. Amer. Ceram. Soc., 1991, 74 (5): 895-908.
[3]	Chiou Bi-Shiou, Tzeng JYH-Ming, Duh Jeno-Gong. J. Mater. Science: Mater in Electro, 1993, 4:301-304.
[4]	Jean Jau-Ho, Tapan K Gupta. IEEE Trans.comp.,packing. manuf.tech., 1994,part B, 17 (2): 228-233.
[5]	MacDowell J F, Beall G H. Materials Research Society Symposium Proceedings, Advanced ElectronicPacking Materials, Barfknecht, A.T.,Partridge, J.P., Chen,C.J., Li,C,-YZ,Eds.; Materials ResearchSociety:Pittsburgh, 1989, 167: 259.
[6]	Jean Jau-Ho, Shen J I. Jpn. J. App. Phys., 1996, 35 part 1,(7): 3942-3945.
[7]	Kumta P N, Sriram M A. Journal of Materials Science, 1993, 28 (4): 1097-1106.

上一张下一张

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%