Yb2O3的掺杂方式对Ba(Ti1--yZry)O3陶瓷介电性能的影响

无机材料学报, 2001, 16(5): 989-992. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.036

Yb2O3的掺杂方式对Ba(Ti1--yZry)O3陶瓷介电性能的影响

齐建全 ^1, , 桂治轮 ^2, , 王永力 ^3, , 李琦 ^4, , 李龙土 ^5,

1.清华大学材料系新型陶瓷与

2.清华大学材料系新型陶瓷与

3.清华大学材料系新型陶瓷与

4.清华大学材料系新型陶瓷与

5.清华大学材料系新型陶瓷与

关键词： Yb2O3 , Ba(Ti1-yZry)O3 , 介电性能

Influence of Doping Style of Yb2O3 on Dielectric Character of Ba(Ti1-yZry)O3 Ceramics

在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高,获得了室温介电常数＞25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料.合成后掺杂的Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关.合成前掺杂Yb2O3的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子得到补偿的结果.

参考文献

[1]	Hennings D, Schnell A, Simon G.J. Amer. Ceram. Soc., 1982, 65 (1): 539-544.
[2]	Qi J Q, Chen W P, Zhang Z T, et al. J. Mater. Sci., 1997, 32: 713-717.
[3]	Caballero A C, Fernandez J F, Moure C, et al.J. Amer. Ceram. Soc., 1998, 81 (4): 939-944.
[4]	Verbitskaja T N, Zhdanow G S, Yu N Venevtsev, et al. Soy. Phys. Cryyst., 1958, 3 (2): 182-92.

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