Y3+:PbWO4晶体低剂量辐照行为研究

无机材料学报, 2002, 17(3): 448-454. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.010

Y3+:PbWO4晶体低剂量辐照行为研究

张昕 ^1, , 廖晶莹 ^2, , 袁辉 ^3, , 沈炳孚 ^4, , 邵培发 ^5, , 李长泉 ^6, , 殷之文 ^7,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

6.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

7.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 国家自然科学基金(59932002)

关键词：钨酸铅晶体 , 掺杂 , 辐照硬度

Low Dose Rate Radiation Behaviors of y3+ Doping PbWO4 Crystals

三价稀土离子(La3+、Lu3+和y3+等)掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Y3+掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本研究挑选了存在这一现象的Y3+:PbWO4晶体,测试不同温度的退火处理对晶体透过率、光产额和辐照硬度的关系,发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在400～500nm波段附近的透过率变化有关;生长态Y3+:PWO晶体中导致430nm吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有"漂白"作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低;分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础.

参考文献

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