激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为研究

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

基金项目: 国家自然科学基金(59832060)

Laser-induced Crystallization Behavior of the Sputtered Ge2Sb2Te5 Film

利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为,研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC到HCP的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比.Ge2Sb2Te5薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响.

[1]	Feinleib J,deNeufville J,Moss S C,et al.Appl.Phys.Lett.,1971,18 (6):254-257.
[2]	V Weidenhof,Friedrich I,Ziegler S,et al.J.Appl.Phys.,1999,86 (10):5879-5887.
[3]	Jeong Tae H,Kim Myong R,Seo Hun,et al.J.Appl.Phys.,1999,86 (2):774-778.
[4]	Chen Huang-Wen,Hsieh T.E,Liu Jia-Reuy,et al.Jpn.J.Appl.Phys.,1999,38 (3B):1691-1697.
[5]	Tominaga Junji,Atoda Nobufumi.Jpn.J.Appl.Phys.,1999,38 (3B):L322-L323.
[6]	Ohshima Norikazu.J.Appl.Phys.,1996,79 (11):8357-8363.
[7]	Khulbe Pramod K,Wright Ewan M,Mansuripur Masud.J.Appl.Phys.,2000,88 (7):3926-3933.
[8]	Forst M,Dekorsy T,Trappe C,et al.Appl.Phys.Lett.,2000,77 (13):1964-1966.
[9]	Yamada Noboru,Matsunaga Toshiyuki.J.Appl.Phys.,2000,88 (12):7020-7028.
[10]	Chiang Donyau,Jeng Tzuan-Reng,Huang Der-Ray,et al.Jpn.J.Appl.Phys.,1999,38 (3B):1649-1651.

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