用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜,其氢含量范围约为6at%~17at%,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化率降低,DLC膜的氢含量增加,荷能离子对生长表面的轰击具有较强的析氢作用,工作气体中引入氢气促进DLC膜中氢的析出.
参考文献
[1] | Robertson J. Surf. Coat. Technol., 1992, 50: 185-203. |
[2] | 夏立芳,孙明仁,孙跃,等.中国发明专利,No.97103251.3 |
[3] | 孙明仁,夏立芳,孙跃,等.材料研究学报,1999,13(5):532-534. |
[4] | 孙明仁,夏立芳,孙跃,等.真空科学与技术学报,1999,19(1):74-78. |
[5] | Robertson J. Pure & Appl. Chem., 1994, 66 (9): 1789-1796 . |
[6] | Lifshitz Y, Kasi S R, Rabalais J W. Physical Review B, 1990, 41 (15): 10468-10479. |
[7] | 于炯宫野,王德真.核聚变与等离子体物理.1995,15(4):8-13. |
[8] | Emmert G A, Henry M A. J. Appl. Phys., 1992, 71 (1): 113-117. |
[9] | Angus J C, Hayman C C. Science, 1988, 241 (19): 913-921. |
[10] | Godet C, Heitz T, Buorée J E, et al. J. Appl. Phys., 1988, 84 (7): 3919-3931. |
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