Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

无机材料学报, 2002, 17(5): 931-937. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.005

Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

张昕 ^1, , 廖晶莹 ^2, , 谢建军 ^3, , 沈炳孚 ^4, , 邵培发 ^5, , 李长泉 ^6, , 袁辉 ^7, , 殷之文 ^8,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

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6.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

7.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

8.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(59932002)

关键词：钨酸铅 , 掺杂 , 辐照硬度 , 闪烁性能

Influence of Si4+ Ion on Scintillation Properties and Radiation Hardness of Y3+ Doping PbWO4 Crystals

Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数＜1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:pwO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:pwO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Ya+:pWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.

参考文献

[1]	Baccaro S, et al. Phys. Stat. Sol. (a), 1997, 164: R9-R10.
[2]	Qu Xiangdong. Thesis for Doctor Degree, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 2001.
[3]	Nikl M, et al. Appl. Phys. Lett., 1997, 71 (26): 3755-3757.
[4]	Qisheng Ling, et al. Phys. Stat. Sol. (a), 2000, 181: R1-R3.
[5]	Qisheng Ling, et al. Sol. Stat. Com., 2001, 118: 221-223.
[6]	Li Wengsheng. Thesis for Doctor Degree, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 2000.
[7]	周公度.无机结构化学,第一版.科学出版社,1982.296-300.

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