铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究

无机材料学报, 2002, 17(6): 1203-1208. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.020

铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究

彭榕 ^1, , 周和平 ^2, , 宁晓山 ^3, , 林渊博 ^4, , 徐伟 ^5,

1.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

2.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

3.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

4.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

5.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

关键词：敷接 , 结合强度 , Al/AlN电子陶瓷基板

Performance of Al/AlN Substrate

在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在A1N电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度＞15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.

参考文献

[1]	Miyashirof, Iwasen, Wasen, Tsugea, et al, IEEE Trans. Compon. Hybrids. Manuf. Technol., 1990,13 (2): 313～316.
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