近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究

无机材料学报, 2003, 18(1): 195-199. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.031

近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究

李锦 ^1, , 郑毓峰 ^2, , 戴康 ^3, , 徐金宝 ^4, , 陈树义 ^5,

1.新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046

2.新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046

3.新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046

4.新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046

5.新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046

基金项目: 国家自然科学基金(59862002)

关键词：近距离升华(CSS)技术 , CdTe薄膜

Structure and Electrical Properties of Te-Doped CdTe Thin Films Prepared by Close-Spaced-Sublimation Technique

采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致CdTe膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.

参考文献

[1]	Chakrabarti R, dutta J, Maity A B, et al. Thin Solid Films, 1996, 288: 32-35.
[2]	Touskova J, Kindl D, Tousek J. Thin Solid Films, 1997, 293: 272-276.
[3]	Soo Y L, Huang S, Kao Y H. J. Appl. Phys., 1998, 83(8): 4173-4179.
[4]	Jaya P Nair, Jayakrishnan R, Nandu B Chaure, et al. Thin Solid Films, 1999, 347: 39-45.
[5]	Ferekides C S, Marinskiy D, Viswanathan V, et al. Thin Solid Films, 2000, 361-362: 520-526.
[6]	Nobuo Nakayama, Hitoshi Matsumoyo, Akihiko Nakano. Japanese Journal of Applied Physics, 1980,19(4): 703-712.
[7]	EL-Kadry N, Ahmed M F, Abdel Hady K. Thin Solid Films, 1996, 274: 120-127.
[8]	Britt J, Ferekides C. Appl. Phys. Lett., 1993, 62(22): 2851-2852.
[9]	Feng Z C, Chou, Rohatgi A, et al. J. Appl. Phys., 1996, 79: 2151-2153.
[10]	Chu T L, Chu S S, Ferekides C, et al. J. Appl. Phys., 1991, 70(12): 7608-7612.
[11]	Ahmed M U, Jones E D, Stewart N M. Journal of Crystal Growth, 1996, 160: 36-40.
[12]	Picos-Vega A, Becerricl M, Zelaya-Angel O. J. Appl. Phys., 1998, 83: 760-763.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究

Structure and Electrical Properties of Te-Doped CdTe Thin Films Prepared by Close-Spaced-Sublimation Technique

参考文献