Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究

无机材料学报, 2003, 18(2): 275-282. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.004

Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究

常永勤 ^1, , 安卫军 ^2, , 郭喜平 ^3, , 介万奇 ^4,

1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

基金项目: 航空科研项目(98G53099) 国家自然科学基金(59872027)

关键词： MnxCd1-xIn2Te4 , 成分偏析 , 红外透射光谱 , 磁化率

Phase Formation and Physical Properties of MnxCd1-xIn2Te4 Ingots Grown by the Bridgman Method

采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mno.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里一外斯定律,在低温区(＜50K)则表现出顺磁增强现象.

参考文献

[1]	Palacio F, Campo J, Segredo V, et al. Materials Science Forum, 1995, 182-184: 459-462.
[2]	Delgado G, Chacon C, Delgado J M, et al. Phys. Stat. Sol., 1992, 134: 61-66.
[3]	Guerrero E, Quintero M, Delgado M, et al. Phys. Stat. Sol. (a), 1992, 129: K83-88.
[4]	Jean B, Couturier G. J. Appl. Phys., 1994, 75: 1-5.
[5]	Jean-Claude Launay. J. Crystal Growth, 1992, 121: 202-208.
[6]	Capper P, Gosney J, Jones C L, et al. J. Crystal Growth, 1983, 63: 154-164.
[7]	刘宜华,张连生.物理学进展,1994,14:82-120.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究

Phase Formation and Physical Properties of MnxCd1-xIn2Te4 Ingots Grown by the Bridgman Method

参考文献