掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结

无机材料学报, 2004, 19(1): 239-243. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.039

掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结

吴隽 ^1, , 谢长生 ^2, , 黄开金 ^3, , 王爱华 ^4, , 王文焱 ^5,

1.华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室,武汉,430074

2.华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室,武汉,430074

3.华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室,武汉,430074

4.华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室,武汉,430074

5.河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳,471039

基金项目: 湖北省武汉市科技攻关项目(20011007088-5)

关键词：压敏电阻 , 硼酸铅锌玻璃 , 低温烧结

Low Temperature Sintering of Doped ZnO-V2O5 Varistors

对掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结特性及电性能进行了研究.研究结果表明:通过添加硼酸铅锌玻璃"形成"氧化物PbO和B2O3使其在常规电烧结炉中的烧结温度降低到了800℃,并使非线性特性明显提高,添加6wt%(PbO+B2O3)的样品经800℃ 4h烧结后,其非线性系数和漏电流密度可分别达到22.5,7.2×10-6A/cm2.

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