电化学组装一维纳米线阵列p型Bi2Te3温差电材料

无机材料学报, 2004, 19(3): 517-522. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.012

电化学组装一维纳米线阵列p型Bi2Te3温差电材料

王为 ^1, , 贾法龙 ^2, , 黄庆华 ^3, , 张伟玲 ^4, , 郭鹤桐 ^5, , 申玉田 ^6,

1.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072

2.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072

3.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072

4.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072

5.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072

6.河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130

基金项目: 国家自然科学基金(55071040) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(ZM200103A01)

关键词： p型温差电材料 , Bi2Te3 , 电化学组装 , 纳米线阵列

Electrochemical Assembled p-type Bi2Te3 Thermoelectric Materials with Nanowire Array Structure

对p型Bi2Te3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了p型Bi2Te3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,p型Bi2Te3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料.

参考文献

[1]	高敏.温差电转换及其应用,第一版.北京:北京兵器出版社,1996.
[2]	Nolas G S, Sharp J, Goldsmid H J. Thermoelectrics, Basic Principles and New Materials Developments.Springer Verlag, 2001.
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[4]	Khitun, A, Balandin A, Wang K L, et al. The 18th International Conference on Thermoelectrics, IEEE Inc.1999. 181-184.
[5]	Fleurial J P, Snyder G J, Patel J, et al. The 20th International Conference on Thermoelectrics, IEEE Inc.2001. 24-29.
[6]	Kishi M, Yamamoto M, et al. The 18th International Conference on Thermoelectrics, IEEE Inc. 1999.301-309.
[7]	Heremans J, Thrush C M. Physical ReviewB, 1999, 95 (19): 12579.
[8]	Marisol S. Martin-Gonzalez, Amy L. Prieto, et al. Journal of the Electrochemical Society, 2002, 149 (11):C546-C554.

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Electrochemical Assembled p-type Bi2Te3 Thermoelectric Materials with Nanowire Array Structure

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