通过使用氨气作氮源,氮化介孔氧化硅和含铝氧化硅(SBA15和Al-MCM-41)的前驱体(含模板剂),成功制备出高氮含量的有序氮氧化物介孔材料.主要氮化条件为:1273~1323K,8~24h.采用CNH元素分析、红外光谱、Si固体核磁共振谱(MASNMR)、N2吸附-脱附分析、小角XRD和高分辨透射电镜(HRTEM)进行表征,分析结果表明经过高温长时间氮化制备出的高氮含量(~21wt%)的氮氧化硅和含铝氮氧化硅介孔材料仍然具有高达700~900m2g-1的比表面积、窄的孔径分布和良好的有序性.
参考文献
[1] | Ying J Y, Mehenert C P, Wong M S. Angew. Chem. Int. Ed., 1999, 38: 56-62. |
[2] | On D T, Desplantier-Giscard D, Danumgh C, et al. Appl. Catal. A, 2001. 299-304. |
[3] | Corma A. Chem. Rev., 1997, 97: 2373-2385. |
[4] | Kresge C T, Leonowicz M E, Roth W J, et al. Nature, 1992, 359: 710-714. |
[5] | Moiler K, Bein T. Chem. Mater., 1998, 10: 2950-2954. |
[6] | Kohn R, FYoba M. Catal. Today, 2001, 68: 227-230. |
[7] | Parvulescu V, Su B L. Catal. Today, 2001, 69: 315-319. |
[8] | Lee B, Lu D L, Kondo J N, et al. J. Am. Chem. Soc., 2002, 124: 11256-11257. |
[9] | O'Neil A S, Mokaya R, Poliakoff M. J. Am. Chem. Soc., 2002, 124: 10636-10637. |
[10] | Sun J H, Coppens M O. J. Mater. Chem., 2002, 12: 3016-3019. |
[11] | Fripiat N, Parvulescu V, Parvulescu V I, et al. Appl. Catal. A, 1999, 181: 331-346. |
[12] | Oyama T. Catal. Today, 1992, 15: 179-183. |
[13] | Choi J G, Brinner J R, Colling C W, et al. Catal. Today, 1992, 15: 201-205. |
[14] | Lednor P W, Ruiter R D. J Chem. Soc. Chem. Commun., 1991. 1625-1630. |
[15] | Ernst S, Harmann M, Sauerbeck S, et al. Appl. Catal. A, 2000, 200: 117-121. |
[16] | Haskouri J E, Cabrera S, Sapina F F. Adv. Mater., 2001, 13: 192-195. |
[17] | Yu J, Shi J L, Wang L Z, et al. Mater. Lett., 2001, 48: 112-114. |
[18] | Zhao D, Huo Q, Feng J, et al. J. Am. Chem. Soc., 1998, 120: 6024-6026. |
[19] | Chen L Y, Jaenicke S, Chuah G K. Micro. Mater., 1997, 12: 323-327. |
[20] | SjSberg J, Pompe R, J. Am. Ceram. Soc., 1992, 75: 2189-2193. |
[21] | Bickmore C R, Laine R M. J. Am. Ceram. Soc., 1996, 79: 2865-2877. |
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