研究了金刚石膜/氧化铝陶瓷复合材料作为超高速、大功率集成电路封装基板材料 的可行性.采用电容法测量了复合材料的介电性质,结果表明在氧化铝上沉积金刚石膜,能有效降低基片材料的介电系数.碳离子预注入处理使介电损耗降低(从5×10-3降低到2×10-3), 且频率稳定性更好.金刚石膜的沉积可明显提高基片的热导率,随着薄膜厚度的增加,复合材 料的热导率单调递增.当薄膜厚度超过100μm时复合材料的介电系数下降到6.5、热导率上升 至3.98W/cm·K,热导率接近氧化铝的20倍.
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