氧化硼掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷致密化及介电性

无机材料学报, 2004, 19(5): 1018-1024. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.009

氧化硼掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷致密化及介电性

程华容 ^1, , 朱景川 ^2, , 全在昊 ^3, , 尹钟大 ^4,

1.哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨,150001

3.韩国机械研究院材料技术部,昌原,641010

4.哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨,150001

基金项目: 哈尔滨工业大学校科研和教改项目

关键词：钛酸锶钡 , 掺杂 , 梯度陶瓷 , 介电性

Densification and Dielectric Property of B2O3-doped Ba1-xSrxTiO3 Graded Ceramics

研究了氧化硼(B2O3)掺杂量及烧结温度对钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3, x=0～0.4)致密化行为及其微观组织的影响, 确定了不同成分钛酸锶钡中氧化硼掺杂量.随后, 采用一系列Ba1-xSrxTiO3掺杂粉体, 烧结制备了钛酸锶钡梯度陶瓷, 并测试了其介电性能.结果表明, 钛酸锶钡掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度, 在1300℃即可烧结致密化, 比未掺杂相同成分的钛酸锶钡陶瓷烧结温度至少降低100℃; 烧结后各成分单层陶瓷与梯度陶瓷介电性能随温度的变化表明, 梯度组成陶瓷的居里峰温度区间显著展宽, 大大降低了该温区的介温系数, 可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性.

参考文献

[1]	Soo-Ik Jang, Hyun M. Jang. J. Thin solid film, 1998, 330: 89-95.
[2]	Sung Min Rhim, et al. J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83 (5): 1145-1148.
[3]	Sung Min Rhim, et al. J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83 (2): 3009-3013.
[4]	Jae-Ho Jeon, Yoo-Dong Hahn, Hai-Doo Kim. Journal of the European Ceramic Society. 2001, 21: 1653-1656.
[5]	In-Chyuan Ho. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77 (3): 829-832.
[6]	Chu Chenglin, et al. Materials Science and Engineering, 1999, A271: 95-100.
[7]	朱景川, 等(ZHU Jing-Chuan, et al). 无机材料学报(Journal of Inorganic Materials), 2002, 17 (5): 992-998.
[8]	Teng L D, Wang F M, Li W C. Materials Science and Engineering, 2000, A293: 130-136.
[9]	Ho-Yong Lee, et al. Journal of the European Ceramic Society. 2000, 20: 731-737.
[10]	Ho-Yong Lee, Jae-Suk Kim, Doh-Yeon Kim. Journal of the European Ceramic Society. 2000, 20: 1595-1597.
[11]	Young-Sung Yoo, et al. Journal of the European Ceramic Society. 1997, 17: 1725-1727.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

氧化硼掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷致密化及介电性

Densification and Dielectric Property of B2O3-doped Ba1-xSrxTiO3 Graded Ceramics

参考文献