在室温条件下制备高质量纳米结构TiN薄膜研究

无机材料学报, 2004, 19(6): 1386-1390. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.06.026

在室温条件下制备高质量纳米结构TiN薄膜研究

闫鹏勋 ^1, , 吴志国 ^2, , 徐建伟 ^3, , 张玉娟 ^4, , 张伟伟 ^5, , 刘伟民 ^6,

1.兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

2.兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

3.兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

4.兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,兰州,730000

5.兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

6.中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,兰州,730000

基金项目: 国家自然科学基金(10074022) 教育部优秀青年教师资助计划

关键词： TiN , 磁过滤等离子体 , 纳米薄膜

Deposition of High Quality TiN Thin Films with Nano-structure

在室温条件下,利用磁过滤等离子体在单晶硅和不锈钢表面上制备了性能优异的纳米结构TiN薄膜.运用原子力显微镜和掠角入射X射线衍射仪对其结构与形貌进行了表征,利用纳米压痕仪测量了TiN薄膜的硬度和弹性模量.结果表明:TiN薄膜表面光滑,致密,无柱状晶; TiN晶粒的平均尺寸为50nm,薄膜硬度达50 GPa,是传统CVD和PVD技术沉积氮化钛的两倍多;XRD衍射试验表明,纳米TiN的衍射角都普遍向小角度移动,TiN晶粒沿(111)择优生长.

参考文献

[1]	Brown I G. Rev. Sci. Instrun., 1994, 65: 3061-3066.
[2]	Hopwood J P, Guarnieri C R, Whitehair S J, et al. J. Vac. Sci. Technol, 1993, A11: 152-158.
[3]	Saitoh H, Yarbrough W A. Appl. Phy. Lett., 1991, 58: 2228-2231.
[4]	Martin P J, Bendavid A. Thin Solid Films, 2001, 394: 1-6.
[5]	Konyashin I, Rabinovich G F, Dodonov A. J. Mater. Sci., 1998, 32: 6029-6038.
[6]	Yan P X, et al. Thin Solid Films, 1993, 232: 204-208.
[7]	Martin P J, Bendavid A, Kinder T J, et al. Surf. Coat. & Technol., 1996, 86: 271-278.
[8]	Martin P J, Bendavid A, Takikawa H. J. Vac. Sci. Technol., 1999, A 17: 351-359.

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