φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟

无机材料学报, 2005, 20(2): 453-458. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.031

φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟

宇慧平 ^1, , 隋允康 ^2, , 张峰翊 ^3, , 常新安 ^4, , 安国平 ^5,

1.北京工业大学机电学院,北京,100022

2.北京工业大学机电学院,北京,100022

3.北京有色金属研究总院,北京,100088

4.北京工业大学材料学院,北京,100022

5.北京工业大学机电学院,北京,100022

基金项目: 北京工业大学校科研和教改项目(JQ0105200372)

关键词：直拉法 , 勾形磁场 , 数值模拟

Numerical Simulation of a Czochralski Silicon Crystal Growth with a Large Diameter 300mm Under a Cusp Magnetic Field

直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如何影响晶体生长的质量的,而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容,为单晶硅的生长提供有利的指导.本文采用低雷诺数的K-ε紊流模型,对直径300mm的大直径单晶硅生长进行了数值模拟,通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析,阐明了勾形磁场影响熔体流动的机理.

参考文献

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