BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料的介电性能研究

无机材料学报, 2005, 20(4): 1013-1018. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.040

BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料的介电性能研究

陈莹 ^1, , 董显林 ^2, , 高敏 ^3, , 梁瑞虹 ^4, , 曹菲 ^5,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 中国科学院知识创新工程项目(1730300400009)

关键词：钛酸锶钡 , 复合材料 , 介电性能 , 可调性

Dielectric Properties of BSTO/Mg2SiO4/MgO Ceramic Composites

采用传统的电子陶瓷制备工艺制备了BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料,并对样品的结构及其介电性能进行了表征与分析,讨论了Mg2SiO4/MgO掺杂对BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料结构和性能的影响.结果表明,与前其他掺杂改性的BSTO复合材料相比,BSTO/Mg2SiO4/MgO复合材料不仅可以在较低的温度烧结致密,而且在介电常数降低的同时,仍能保持较高的可调性,如BSTO/39wt%Mg2SiO4/17wt%MgO的介电常数εr为～80.21,在2kV/mm的直流偏置电场下,其可调性达到～12%,介电损耗为～0.003.

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