烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响

无机材料学报, 2005, 20(5): 1145-1152. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.021

烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响

程华容 ^1, , 朱景川 ^2, , 全在昊 ^3, , 来忠红 ^4,

1.哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨,150001

3.韩国机械研究院材料技术部,昌原,641-010

4.哈尔滨工业大学材料学院,哈尔滨,150001

关键词：掺杂钛酸锶钡 , 梯度陶瓷 , 烧结 , 介电性

Effect of Sintering Process on Dielectric Properties of B2O3-doped Ba1-xSrxTiO3 Graded Ceramics

研究了烧结温度及升温速率对氧化硼(B2O3)掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷(Ba1-xSrxTiO3,x=0～0.4,步长0.02)的致密化、晶粒尺寸及介电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,在氧化硼挥发的同时致密化程度提高,从而居里峰提高且变得尖锐;随着氧化硼含量的增加,晶粒尺寸均匀长大、介电常数和介电损耗都增加;升温速率适中时,掺杂物的挥发、致密化进程及晶粒长大同步完成,梯度陶瓷介电性能才有效提高.此外,钛酸锶钡梯度陶瓷掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度,比未掺杂相同成分的陶瓷烧结温度至少降低150℃,且介电损耗明显减小;梯度陶瓷的居里峰温度区间显著展宽,大大降低了该温区的介温系数,可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性.

参考文献

[1]	Liang X F, Wu W B, Meng Z Y. Mater. Sci. Eng., 2003, B99: 366-369.
[2]	Thakur P, Prakash C, Agrawal D K. Mater. Sci. Eng., 2002, B96: 221-225.
[3]	张磊,等(Zhang Lei,et al).硅酸盐学报(Journal ofthe Chinese Ceramics Society),2002,30(6):785-788.
[4]	张磊,等.物理学报,2000,49(7):1371-1376.
[5]	Jeon J H, Hahn Y D, Kim H D. J. Eur. Ceram. Soc., 2001, 21: 1653-1656.
[6]	程华容,等(Cheng Huarong,et al).无机材料学报(Journal ofInorganic Materials),2004,19(5):1017-1024.
[7]	Rhim S M, et al. J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83(5): 1145-1148.
[8]	Rhim S M, et al. J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83(2): 3009-3013.
[9]	李标荣,王筱珍,张绪礼.无机电介质,第一版.武汉:华中理工大学出版社,1995.79-101.
[10]	Buchanan Relva C. Ceramic Materials for Electronics. New York: Marcel Dekker, INC., 1986. 87-92.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响

Effect of Sintering Process on Dielectric Properties of B2O3-doped Ba1-xSrxTiO3 Graded Ceramics

参考文献