CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征

无机材料学报, 2005, 20(5): 1208-1214. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.030

CVI制备C/Si3N4复合材料及其表征

刘永胜 ^1, , 成来飞 ^2, , 张立同 ^3, , 徐永东 ^4, , 刘谊 ^5,

1.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

2.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

3.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

5.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50425208)

关键词：化学气相渗透(CVI) , C/Si3N4复合材料 , 微观结构 , 工艺参数

Preparation and Characterization of C/Si3N4 Composites by Chemical Vapor Infiltration

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀.

参考文献

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